產(chǎn)品中心
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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
基于于團(tuán)隊(duì)成員的多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，我們發(fā)展和制造了分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)MBE及各種功能的源爐。每個(gè)產(chǎn)品都是由MBE專業(yè)人才進(jìn)行組裝和測(cè)試的。分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)MBE是為了在6英寸襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的III/V族或者II-VI族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)的。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。MBE系統(tǒng)是公認(rèn)的非常適合于III/V族， II/VI族或其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)應(yīng)用研發(fā)與生產(chǎn)。
詳情介紹：
分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)的特點(diǎn)：
1. 由脈沖激光做濺射源，將預(yù)外延材料原子濺射出來在襯底外延沉積得到單晶薄膜，RHEED電子槍做原位監(jiān)測(cè)
2. 可放多塊不同尺寸靶材, 靶臺(tái)可公自轉(zhuǎn)，靶基距連續(xù)可調(diào)3. 樣品臺(tái)襯底可自轉(zhuǎn)，可加熱
分子束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)MBE系統(tǒng)主要參數(shù)規(guī)格：
● ID 550 mm
● 應(yīng)用于III/V族， II/VI族或其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料
● 大晶片6英寸，或7x2英寸晶片
● 進(jìn)樣室和緩沖腔室
● 線性樣品傳輸系統(tǒng)
● 標(biāo)準(zhǔn)法蘭孔數(shù)目(標(biāo)準(zhǔn)11個(gè)，可按要求增加3個(gè))
● 束流源，氣體源，樣品臺(tái)
● 抽真空系統(tǒng)(離子吸附泵，分子泵，低溫泵等)
● 原位表征能力
● 軟件/硬件控制系統(tǒng)
● 額外要求可定制
